#1 |
数量:93887 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:93887 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:81 |
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最小起订量:1 阿姆斯特丹 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
FD(B,P)6670AL |
文档 |
Multiple Devices 27/Feb/2012 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 33nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2440pF @ 15V |
功率 - 最大 | 68W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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